г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R280C6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R280C6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3, N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Цена
234 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R280C6.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 430µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
CoolMOS™ C6
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
Other Names
2156-IPW60R280C6,IFEINFIPW60R280C6
Standard Package
1
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSP89H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IPA60R199CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP, N-Channel 650 V 16A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: BAR6404WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF450
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA, N-Channel 500 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: IGT60R190D1SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF, N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Подробнее
Артикул: IRAMX20UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 20A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее