г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R299CP Infineon Technologies

Артикул
IPW60R299CP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
264 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-IPW60R299CP
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6216TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FP150R12KT4PBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 150A, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 150 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW60R099CPFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPA50R380CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP, N-Channel 500 V 9.9A (Tc) 29.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A TO220AB, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC40UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее

Ваша заявка принята