г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R299CP Infineon Technologies

Артикул
IPW60R299CP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
264 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-IPW60R299CP
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAM256-2067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BAT6406WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: IPD80R450P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO252, N-Channel 800 V 11A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Подробнее
Артикул: BCR158
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRG7PH42U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 385W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 90 A 385 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF5851
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее