г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW90R340C3XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPW90R340C3XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Цена
879 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW90R340C3XKSA1.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-21
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 100 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IPW90R340
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP002548898
Standard Package
240
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4310PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLU3636PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK, N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: IDH20G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 41A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 41A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IRFU9024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BTS244Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BCR503E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее