г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRAMS10UP60B-2 Infineon Technologies

Артикул
IRAMS10UP60B-2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IC PWR MOD PLUG-N-DRIVE 600V 10A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Power Driver Modules, Модули драйверов питания
Image
files/IRAMS10UP60B-2.jpg
Current
10 A
Configuration
3 Phase
Voltage
600 V
Type
IGBT
Other Names
SP001538798
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
80
HTSUS
8542.39.0001
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package / Case
23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Part Status
Obsolete
Package
Tube
Series
iMOTION™
Voltage - Isolation
2000Vrms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLL2705PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223, N-Channel 55 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IKW75N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: BAR6406E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFS7540TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK, N-Channel 60 V 110A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRF7204TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSC120N03LSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее