г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF1404PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF1404PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB, N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
362 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF1404PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 121A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5669 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
202A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF1404PBF,2156-IRF1404PBF-448,SP001561374
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF1404
Power Dissipation (Max)
333W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BSC057N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON, N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: D921S45TXPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A, Diode Standard 4500 V 1630A Chassis Mount -
Подробнее
Артикул: BC858C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRG4PH50KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRAM136-3063B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 30A 600V RES SIP3, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее