г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF4104SPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF4104SPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
379 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF4104SPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF4104SPBF,SP001551088
Standard Package
50
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF4104
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB12CN10N G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK, N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.5 A 34 W Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: SPD06N60C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3, N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-1
Подробнее
Артикул: IDH06SG60CXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: BDP954H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 100V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Подробнее
Артикул: AUIRFS8407
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее