г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF540NSTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK, N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
279 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF540NSTRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1960 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF540NSTRLPBFCT,IRF540NSTRLPBF-ND,IRF540NSTRLPBFTR,SP001563324,IRF540NSTRLPBFDKR
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF540
Power Dissipation (Max)
130W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 19A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 19 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW65R019C7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M, N-Channel 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFP250MPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC, N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BFR182E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: BFR380FH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3, RF Transistor NPN 9V 80mA 14GHz 380mW Surface Mount PG-TSFP-3
Подробнее
Артикул: BAT64E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3, Diode Schottky 40 V 120mA Surface Mount PG-SOT23
Подробнее