г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR166E6327 Infineon Technologies

Артикул
BCR166E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR166E6327.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
INFINFBCR166E6327,2156-BCR166E6327
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPB08P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3, P-Channel 60 V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB, P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FP40R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW65R280E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFH9310TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN, P-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRFR3504PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK, N-Channel 40 V 30A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее