BCR166E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR166E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR166E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR166E6327,2156-BCR166E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BSD235CH6327XTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT363, Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6-1

Подробнее

Артикул: IRL1404ZS

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module Trench 2 Independent 1200 V 50 A 0.2 W Chassis Mount AG-EASY1BM-2

Подробнее

Артикул: BSS670S2LH6327XTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Подробнее

Артикул: IRF7749L1TRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET, N-Channel 60 V 33A (Ta), 200A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8

Подробнее

Артикул: IRLR2905ZTRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak

Подробнее

BCR166E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята