BCR166E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR166E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR166E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR166E6327,2156-BCR166E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4PC30K

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 600V 28A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-247AC

Подробнее

Артикул: ISP650P06NMXTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4, P-Channel 60 V 3.7A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4

Подробнее

Артикул: BSZ065N06LS5ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

Подробнее

Артикул: IRF7101PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: IRLMS1503TRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6, N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)

Подробнее

Артикул: IRF3708S

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

BCR166E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята