BCR166E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR166E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR166E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR166E6327,2156-BCR166E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPP126N10N3GXKSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Подробнее

Артикул: IRFB23N20D

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB, N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB

Подробнее

Артикул: BSD223PH6327XTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6-1

Подробнее

Артикул: BSC009NE2LS5ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Подробнее

Артикул: IRLB8314PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3, N-Channel 30 V 171A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Подробнее

Артикул: IRFIZ24E

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP, N-Channel 60 V 14A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Подробнее

BCR166E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята