г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6641TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF6641TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET, N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Цена
417 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF6641TRPBF.jpg
Package / Case
DirectFET™ Isometric MZ
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MZ
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IRF6641TRPBF,IRF6641TRPBF-ND,IRF6641TRPBFCT,SP001559700,IRF6641TRPBFDKR,IRF6641TRPBFTR,IFEINFIRF6641TRPBF
Standard Package
4,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRF6641
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW60T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 100 A 375 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFH8321TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6, N-Channel 30 V 21A (Ta), 83A (Tc) 3.4W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: BSC037N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: BFN18H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: BSC010N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON, N-Channel 40 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее