г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLML0060TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLML0060TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23, N-Channel 60 V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Цена
102 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLML0060TRPBF.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
Micro3™/SOT-23
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
92mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLML0060TRPBFCT,SP001568948,IRLML0060TRPBFTR,IRLML0060TRPBFDKR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLML0060
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAM136-3023B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER DRIVER MOD 150V 30A 22SIP, Power Driver Module MOSFET 3 Phase 150 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: SPW17N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRLZ24NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB, N-Channel 55 V 18A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAS70-04E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL, Diode Array
Подробнее
Артикул: IRGS6B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 90W D2PAK, IGBT NPT 600 V 13 A 90 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRAMS10UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR INTELLIGENT 10A 600V, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее