г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6644 Infineon Technologies

Артикул
IRF6644
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET, N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Цена
517 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF6644.jpg
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MN
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
DirectFET™ Isometric MN
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001574786
Standard Package
4,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF4104SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPP051N15N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3, N-Channel 150 V 120A (Tc) 500mW (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFB5620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFR4104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK, N-Channel 40 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее