г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7104PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7104PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
157 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7104PBF.jpg
Base Product Number
IRF7104PBF
Other Names
INFINFIRF7104PBF,2156-IRF7104PBF-IT,SP001565336
Power - Max
2W
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,800
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7820TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO, N-Channel 200 V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IRFZ34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB, N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF1200R12KE3NOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 5000W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 5000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IKZA50N65RH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INDUSTRY 14, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 305 W Through Hole PG-TO247-4-3
Подробнее
Артикул: IPP60R125C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: SDT05S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее