г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7104PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7104PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
157 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7104PBF.jpg
Base Product Number
IRF7104PBF
Other Names
INFINFIRF7104PBF,2156-IRF7104PBF-IT,SP001565336
Power - Max
2W
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,800
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFS7530TRL7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: IRF1503PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB, N-Channel 30 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPB60R120P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 26A D2PAK, N-Channel 650 V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 625W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFR2607ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее