г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP260NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP260NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC, N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
692 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP260NPBF.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4057 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
64-6005PBF-ND,64-6005PBF,*IRFP260NPBF,SP001552016
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFP260
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT6203WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOD323, RF Diode Schottky - Single 40V 20 mA 100 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: BSZ900N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON, N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: BAT6406E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRLU3110ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSB014N04 - TRENCH <= 40V, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: IRF7241
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO, P-Channel 40 V 6.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее