г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7105TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7105TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
134 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7105TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 15V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRF7105
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.5A, 2.3A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7105PBFDKR,IRF7105PBFCT,IRF7105PBFTR,*IRF7105TRPBF,SP001577206
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Standard

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSP613P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4, P-Channel 60 V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Подробнее
Артикул: IRF2907ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB, N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SDT05S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRFP150NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC, N-Channel 100 V 42A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFB4212PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB, N-Channel 100 V 18A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD135N08N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3, N-Channel 80 V 45A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее