г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD50P04P4L11ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3, P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Цена
239 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD50P04P4L11ATMA1.jpg
Other Names
IPD50P04P4L-11,SP000671156,IPD50P04P4L11,IPD50P04P4L11ATMA1CT,2156-IPD50P04P4L11ATMA1,IPD50P04P4L-11DKR,IPD50P04P4L11ATMA1DKR,IPD50P04P4L-11DKR-ND,IPD50P04P4L-11TR-ND,IPD50P04P4L11ATMA1TR,IPD50P04P4L-11TR,IPD50P04P4L-11CT-ND,INFINFIPD50P04P4L11ATMA1,IPD50
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
58W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 85µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
IPD50P04
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, OptiMOS™-P2
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R080P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3, N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPA60R170CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 8A TO220, N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IPW60R031CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3, N-Channel 650 V 63A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFR5305TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IDW20G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 31A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRFR9120NTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее