г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7309TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7309TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
Цена
177 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7309TRPBF.jpg
Base Product Number
IRF7309
Other Names
IRF7309PBFCT,IRF7309PBFDKR,IRF7309PBFTR,SP001554164,*IRF7309TRPBF
Power - Max
1.4W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
4,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Standard

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7322D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: AUIRFS8407
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPB200N15N3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BCR512E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: FF200R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Подробнее