г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS4229TRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK, N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
825 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS4229TRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4560 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFS4229TRLPBFDKR,IRFS4229TRLPBFTR,SP001557392,IRFS4229TRLPBF-ND,IRFS4229TRLPBFCT
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFS4229
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7311PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7311TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSC018NE2LSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON, N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IGLD60R070D1AUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8, N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRFHM9331TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN, P-Channel 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Подробнее