г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7311TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7311TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7311TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 15V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRF7311
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.6A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF7311TRPBF,IRF7311PBFDKR,IRF7311PBFTR,SP001574720,IRF7311PBFCT
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD60R385CPATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: SPD09P06PL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3, P-Channel 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IRLML6244TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23, N-Channel 20 V 6.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: BSD235NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее