г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7313TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7313TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7313TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRF7313
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7313PBFDKR,SP001562160,IRF7313PBFCT,IRF7313PBFTR,*IRF7313TRPBF
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Standard

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS25R12KE3GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 145W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 40 A 145 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRGP4650DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 76A 268W TO247AC, IGBT - 600 V 76 A 268 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSS79C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 40V 800MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSB014N04 - TRENCH <= 40V, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: SPP35N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3, N-Channel 100 V 35A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: AIDW30S65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее