г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7316 Infineon Technologies

Артикул
IRF7316
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
406 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7316.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 25V
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.9A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2266-IRF7316,*IRF7316,SP001562188
Standard Package
95
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4IBC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.4 A 34 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IHW30N120R5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HOME APPLIANCES 14, IGBT Trench Field Stop 1200 V 60 A 330 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF9520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB, P-Channel 100 V 6.8A (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AIDK08S65C5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE DIODES, Diode
Подробнее
Артикул: IRF4905LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A TO262, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BAT2402LSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSSLP-2-1
Подробнее