г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7317PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7317PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
203 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7317PBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 15V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRF7317PBF
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.6A, 5.3A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFINFIRF7317PBF,2156-IRF7317PBF,SP001572018
Standard Package
3,800
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6718L2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET, N-Channel 25 V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
Подробнее
Артикул: IPT026N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF, N-Channel 100 V 27A (Ta), 202A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Подробнее
Артикул: IPD50R3K0CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3, N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 313W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 313 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPP600N25N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3, N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее