г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7351TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7351TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
332 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7351TRPBF.jpg
Base Product Number
IRF7351
Other Names
SP001577392,IRF7351TRPBFCT,IRF7351TRPBFDKR,IRF7351TRPBFTR
Power - Max
2W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.8mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 30V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
4,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW25N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, IGBT Trench 1200 V 50 A 349 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSC340N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5, N-Channel 80 V 7A (Ta), 23A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IPP034N08N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, N-Channel 80 V 120A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRLU2905PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: FF300R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL6372PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее