г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7410TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7410TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
200 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7410TRPBF.jpg
Other Names
IRF7410TRPBFTR,IRF7410TRPBFDKR,IRF7410TRPBFCT,SP001559852,IRF7410TRPBF-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8676 pF @ 10 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Base Product Number
IRF7410
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
4,000
Vgs (Max)
±8V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFQ19SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3, RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60A-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BCR583
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: AUIRFS3207Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF640NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IKY75N120CH3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 150A TO247-4, IGBT - 1200 V 150 A 938 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее