г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF8714PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF8714PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, N-Channel 30 V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
124 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF8714PBF.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 15 V
FET Feature
-
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001555772
Standard Package
3,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP20N60S5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_LEGACY, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BSS83PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3, P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFR4105Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IDP15E65D2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 650V 15A TO220, Diode Standard 650 V 15A Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRG4PC40K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 42A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 42 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее