г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7450 Infineon Technologies

Артикул
IRF7450
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO, N-Channel 200 V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7450.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
940 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
*IRF7450
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
95
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±30V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R125P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BFN18H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: BC858A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IPD90P04P4L04ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3, P-Channel 40 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IAUC100N08S5N043ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34, N-Channel 80 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Подробнее
Артикул: BAR6405WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Подробнее