г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAR6405WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAR6405WH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Цена
74 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAR6405WH6327XTSA1.jpg
Standard Package
3,000
Base Product Number
BAR6405
Other Names
2156-BAR6405WH6327XTSA1,BAR 64-05W H6327-ND,IFEINFBAR6405WH6327XTSA1,BAR 64-05W H6327CT,BAR6405WH6327XTSA1CT,BAR 64-05W H6327DKR-ND,BAR 64-05W H6327,BAR6405WH6327XTSA1DKR,BAR6405WH6327,SP000734362,BAR6405WH6327XTSA1TR,BAR 64-05W H6327CT-ND,BAR 64-05W H632
Current - Max
100 mA
Diode Type
PIN - 1 Pair Common Cathode
Power Dissipation (Max)
250 mW
Capacitance @ Vr, F
0.35pF @ 20V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
150V
HTSUS
8541.10.0070
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Resistance @ If, F
1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG8P60N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC, IGBT - 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.4 A 34 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7204PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BC817-16W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF2807PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB, N-Channel 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IDP20C65D2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 650V 20A RAPID2 TO220-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 650 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее