г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7452 Infineon Technologies

Артикул
IRF7452
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO, N-Channel 100 V 4.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7452.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF7452
Standard Package
95
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW40N135R5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HOME APPLIANCES 14, IGBT Trench Field Stop 1350 V 80 A 394 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPP052NE7N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3, N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IGCM06F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRFH8321TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6, N-Channel 30 V 21A (Ta), 83A (Tc) 3.4W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: BSP129H6906XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IDW100E60FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 150A TO247-3, Diode Standard 600 V 150A (DC) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее