г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7470TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7470TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO, N-Channel 40 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
293 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7470TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3430 pF @ 20 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7470TRPBF-ND,IRF7470PBFDKR,IRF7470PBFCT,IRF7470PBFTR,SP001570336,IRF7470TRPBFTR-ND,*IRF7470TRPBF
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRF7470
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPD30P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3, P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BF-517
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANSISTOR, NPN, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IPB110P06LMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3, P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30U-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 23 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AUIRF4905STRL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: BC807-25
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее