г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF8707TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF8707TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
96 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF8707TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001555780,IRF8707TRPBFDKR,IRF8707TRPBFCT,IRF8707TRPBFTR
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRF8707
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SGW15N120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSP61H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 1 A 200MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IPD50R3K0CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3, N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRLL024NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223, N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRGB4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W TO220, IGBT - 600 V 11 A 58 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD060N03LGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее