г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF9310PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF9310PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO, P-Channel 30 V 20A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
367 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF9310PBF.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5250 pF @ 15 V
FET Feature
-
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001566550
Standard Package
3,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF100S201
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK, N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRFP3415PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC, N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFPS3810
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247, N-Channel 100 V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BC849CW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF7240TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO, P-Channel 40 V 10.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее