г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF9540NLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF9540NLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 100V 23A TO262, P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
Цена
427 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF9540NLPBF.jpg
Other Names
SP001575378
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 110W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
117mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRF9540
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDD06E60BUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BCP69E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRLMS5703TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP, P-Channel 30 V 2.3A (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Подробнее
Артикул: IMW120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: BSA223SP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 390MA SC75, P-Channel 20 V 390mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount PG-SC-75
Подробнее
Артикул: AUIRLS3036
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее