г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF9540NSTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK, P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
331 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF9540NSTRLPBF.jpg
Other Names
IRF9540NSTRLPBFDKR,SP001572430,IRF9540NSTRLPBFTR,IRF9540NSTRLPBF-ND,IRF9540NSTRLPBFCT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 110W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
117mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRF9540
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, IGBT Trench 1200 V 50 A 349 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7811AVTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BUZ30A H3045A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BC-848-B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FF900R12IP4BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 900A 5100W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 5100 W Chassis Mount Module
Подробнее