г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB4321PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB4321PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB, N-Channel 150 V 85A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
568 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB4321PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4460 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IFEINFIRFB4321PBF,SP001577790,2156-IRFB4321PBFINF
Standard Package
100
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFB4321
Power Dissipation (Max)
350W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPW20N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE,
Подробнее
Артикул: TD330N16AOFHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCR MODULE PB50-1, SCR Module
Подробнее
Артикул: BCR148WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRGB30B60K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD100N04S402ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3, N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: MMBTA42LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR NPN 300V 0.5A, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее