г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB5615PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB5615PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB, N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
362 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB5615PBF.jpg
Other Names
SP001575534
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
144W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1750 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFB5615
Mounting Type
Through Hole
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
100
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKP20N65H5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3, IGBT Trench 650 V 42 A 125 W Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: SPW11N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: FZ2400R17HP4B29BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 4800A, IGBT Module Trench Field Stop Single Switch 1700 V 4800 A 15500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BFR182E-6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF N-CHANNEL MOSFET, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: IRF7410GTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSD840NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее