г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFH5250DTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFH5250DTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 40A/100A 8PQFN, N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Цена
341 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFH5250DTRPBF.jpg
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6115 pF @ 13 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFH5250DTRPBF-ND,SP001577928,IRFH5250DTRPBFDKR,IRFH5250DTRPBFTR,IRFH5250DTRPBFCT
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFH5250
Power Dissipation (Max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGS4620DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 32A 140W D2PAK, IGBT - 600 V 32 A 140 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF5305PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPB03N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRF3415PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB, N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPB027N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRF7301PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее