г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFH5300TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFH5300TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN, N-Channel 30 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Цена
264 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFH5300TRPBF.jpg
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7200 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFH5300TRPBFCT,IRFH5300TRPBFTR,IRFH5300TRPBFDKR,IRFH5300TRPBF-ND,SP001570970
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFH5300
Power Dissipation (Max)
3.6W (Ta), 250W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP200N25N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3, N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG4PH40KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 30A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 30 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF3717PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO, N-Channel 20 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPA50R800CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP, N-Channel 500 V 5A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRFR7546TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: BCP69E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее