г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFHS8342TR2PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFHS8342TR2PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN, N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-6
Цена
88 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFHS8342TR2PBF.jpg
Package / Case
6-PowerVDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-6
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 25 V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type
Surface Mount
Series
-
Package
Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 19A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFHS8342TR2PBFCT,IRFHS8342TR2PBFDKR,IRFHS8342TR2PBFTR,SP001575842
Standard Package
400
FET Feature
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC040N10NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON, N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IPG20N06S2L35AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A (Tc) 65W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Подробнее
Артикул: IDD06E60BUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: F475R12KS4B11BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRGB4615DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 99W TO220, IGBT - 600 V 23 A 99 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP4227PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC, N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее