г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFL024NTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFL024NTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223, N-Channel 55 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Цена
121 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFL024NTRPBF.jpg
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
SOT-223
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFL024NTRPBFDKR,SP001575806,IRFL024NTRPBF-ND,IRFL024NTRPBFCT,IRFL024NTRPBFTR
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFL024
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKD06N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3, IGBT Trench 600 V 12 A 100 W Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: SMBTA06
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BDP956
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: AUIRF1405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRG4PH50S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A TO247AC, IGBT - 1200 V 141 A 543 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF3805STRL-7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее