г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4137PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4137PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC, N-Channel 300 V 38A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 302 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4137PBF.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5168 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001571068,INFIRFIRFP4137PBF,2156-IRFP4137PBF
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFP4137
Power Dissipation (Max)
341W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKP20N60H3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 170W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 170 W Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: SPD06N80C3BTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3, N-Channel 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRAMS06UP60A-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR MOD PLUG-N-DRIVE 600V 6A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRLR3410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SPD15P10P G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRG4PC20UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO247AC, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее