г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4710PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4710PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC, N-Channel 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
459 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4710PBF.jpg
Other Names
SP001575990,*IRFP4710PBF
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6160 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFP4710
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
400
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB073N15N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3, N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRF7809AVTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO, N-Channel 30 V 13.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCX71H
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPP65R225C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BC849CW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IMBG120R045M1HXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263, N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Подробнее