г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFPS3810PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFPS3810PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247, N-Channel 100 V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Цена
825 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFPS3810PBF.jpg
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6790 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-274AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFPS3810PBF,SP001566934
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
580W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R180C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPP60R180 - 13A, 600V, N-CHANEL, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BSZ0803LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON, N-Channel 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: DD1200S17H4B2BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE 1200V 1200A, Diode Array 2 Independent Standard 1700 V - Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFR3706
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK, N-Channel 20 V 75A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IDD09SG60CXTMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 9A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: AUIRFB8409
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее