г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR024NTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR024NTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
165 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR024NTRPBF.jpg
Other Names
SP001552090,*IRFR024NTRPBF,IRFR024NPBFCT,IRFR024NPBFTR,IRFR024NPBFDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
370 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFR024
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ040N06LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRLHS6376TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: FS50R12KT3BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200 V 75 A 280 W Chassis Mount AG-ECONO2B
Подробнее
Артикул: FZ900R12KP4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 900A, IGBT Module - Single 1200 V 900 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IKW30N65EL5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3, IGBT - 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее