г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGPS40B120UDP Infineon Technologies

Артикул
IRGPS40B120UDP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 80A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 80 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Цена
1 126 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGPS40B120UDP.jpg
Power - Max
595 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
NPT
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 50A
Switching Energy
1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Gate Charge
340 nC
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Other Names
*IRGPS40B120UDP,SP001536518,2156-IRGPS40B120UDP-IT,INFIRFIRGPS40B120UDP
Mounting Type
Through Hole
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-274AA
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Reverse Recovery Time (trr)
180 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3415STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7303PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGP4262DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 60A 250W TO247AC, IGBT - 650 V 60 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IMBG120R045M1HXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263, N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Подробнее
Артикул: IRLMS2002
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6, N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Подробнее