г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR1010Z Infineon Technologies

Артикул
IRFR1010Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR1010Z.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2840 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFR1010Z
Standard Package
75
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: TT320N16SOFHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: THYRISTOR MODULE 1600V 320A, SCR Module 1.6 kV 520 A Series Connection - All SCRs Surface Mount Module
Подробнее
Артикул: AUIRFZ24NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: IDD09SG60CXTMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 9A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRL3303
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB, N-Channel 30 V 38A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB7446PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее