г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR1018EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR1018EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
336 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR1018EPBF.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 50 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001567496,64-4127PBF,64-4127PBF-ND
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC849CW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IGW50N65H5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3,
Подробнее
Артикул: IRF3415L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A TO262, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: SPD30P06PGBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3, P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF3315PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB, N-Channel 150 V 23A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB, N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее