г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR120NTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK, N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
146 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR120NTRPBF.jpg
Other Names
IRFR120NTRPBF-ND,SP001566944,IRFR120NPBFCT,IRFR120NPBFDKR,IRFR120NPBFTR,*IRFR120NTRPBF,IRFR120NTRPBFTR-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
48W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFR120
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FZ1200R45KL3B5NOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 4500V 1200A, IGBT Module - Single 4500 V 1200 A 13500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLZ24NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB, N-Channel 55 V 18A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLH5030TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN, N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IKW75N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, IGBT Trench 650 V 90 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRG4PC30UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FF1200R12KE3NOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 5000W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 5000 W Chassis Mount Module
Подробнее