г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR120ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR120ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK, N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
145 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR120ZPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
*IRFR120ZPBF,IFEINFIRFR120ZPBF,SP001556832,2156-IRFR120ZPBF-IT
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD60R385CPATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IDW30E65D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, 60A, 650V, Diode Standard 650 V 60A Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: AIDW30S65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IKW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7809
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO, N-Channel 30 V 17.6A (Ta) 3.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF5851
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее