г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3607PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR3607PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK, N-Channel 75 V 56A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
391 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR3607PBF.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3070 pF @ 50 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFINFIRFR3607PBF,2156-IRFR3607PBF,SP001571628
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH10G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IRF3710ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB, N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSZ063N04LS6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON, N-Channel 40 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IRG4BC30W-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 23 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCW65A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF7834PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO, N-Channel 30 V 19A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее