г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF900R12IP4BOSA2 Infineon Technologies

Артикул
FF900R12IP4BOSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 900A 5100W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 5100 W Chassis Mount Module
Цена
126 158 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF900R12IP4BOSA2.jpg
Base Product Number
FF900R12
Other Names
SP000609750,FF900R12IP4,FF900R12IP4-ND
Configuration
Single
Power - Max
5100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
900 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 900A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
3
Series
PrimePack™2
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
54 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH06S60CAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRF7769L2TR1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET, N-Channel 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее
Артикул: IRFB7434PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SKW30N60HS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSC022N04LS6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее